绝缘栅双极型晶体管
结合MOSFET高输入阻抗、电压驱动特性和双极型晶体管低导通压降优点的复合器件。在承受中高电压（通常>600V）时具备更低的导通压降和电流密度。其关键技术在于精细设计元胞结构（如沟槽栅）、载流子寿命控制（如质子辐照、铂/金掺杂）、场截止层引入、以及优化背面减薄与终端结构以提高耐压及鲁棒性。
屏蔽栅沟槽 MOSFET (Shielded Gate Trench MOSFET, SGT MOSFET)
在沟槽栅MOSFET结构基础上，在栅极下方的沟槽底部增加一个嵌入的P型屏蔽层（或电位连接的多晶硅层）。此结构利用屏蔽层效应，在器件关断承受高电压时，有效屏蔽栅极对漏极电场的敏感性，大幅降低栅漏电荷 (Qgd) 和米勒电容 (Crss)。其核心工艺涉及深沟槽刻蚀、栅氧生长、屏蔽层填充与外延生长控制等。
超结 MOSFET (Super Junction MOSFET)
在传统平面栅MOSFET基础上，通过在漂移区引入交替排列的P/N柱结构，显著提高了单位面积下的击穿电压与导通电阻的优值系数。利用特定的电荷平衡原理设计P/N柱的形状、尺寸、掺杂分布和制作工艺，实现更高的耐压能力和更低的传导损耗。关键创新点在于高深宽比沟槽填充技术或多次外延层/离子注入工艺，实现精确的电荷平衡控制。
融资次数
3
员工数量
50-99人
专利数量
124
经营范围
一般项目：半导体分立器件制造；半导体分立器件销售；集成电路芯片设计及服务；集成电路芯片及产品制造；集成电路芯片及产品销售；电子元器件制造；电子产品销售；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广；货物进出口；技术进出口。（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）
主营业务
研发、生产和产业化低损耗高可靠的半导体功率器件，服务于光伏新能源、工业变频、消费电子及开关电源等应用市场。
上海功成半导体科技有限公司
有限责任公司(自然人投资或控股)
￥1,415万
2018-05-23
徐大朋
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上海市嘉定区兴文路1277号5幢1层、2层