III-V族化合物半导体材料外延技术
采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）和分子束外延（MBE）技术，生长砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）等化合物半导体薄膜。创新点在于优化反应室设计和生长动力学控制，实现高迁移率、低界面态密度的外延层，提升器件的频率响应和发光效率。
大尺寸硅晶圆制造技术
基于Czochralski法和浮带法的高纯度单晶硅生长技术，创新点包括精密控制晶体生长参数（如温度梯度、拉速）来实现极低的缺陷密度和高氧含量控制，支持12英寸及以上尺寸晶圆的生产，确保材料满足纳米级制程芯片的工艺需求。
融资次数
1
员工数量
50-99人
经营范围
电子材料、半导体制造、销售；电子材料技术开发、技术咨询、技术转让、技术服务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
主营业务
半导体材料的研发、制造、销售及相关技术服务。