SiC MOS驱动器
为匹配其SiC功率模块的高频高速开关特性，爱仕特配套研发了专用驱动芯片。该驱动器具有高驱动能力（峰值电流＞10A），集成负压关断、米勒钳位、短路快速保护（DESAT）等关键功能，支持单/双通道设计，优化抗干扰能力（高CMTI >100kV/µs），确保SiC模块在高频开关下的安全可靠运行并发挥最大性能优势。
SiC功率模块
基于自研SiC MOSFET芯片，爱仕特开发了系列化SiC功率模块。典型产品如车规级1200V/750A三相全桥模块（如ASTC30C25）、光伏用1200V/300A模块等。模块采用低寄生电感封装（如HPD封装），具有优异的热性能和电性能，并提供预涂导热硅脂选项，方便客户直接应用，主要满足新能源汽车主驱逆变器、大功率充电桩、光伏及储能变流器的需求。
SiC MOSFET芯片
爱仕特核心产品为第三代半导体碳化硅（SiC）MOSFET功率芯片。采用先进的平面栅工艺技术，覆盖650V、1200V及1700V电压平台，具有低导通电阻、高频开关特性、高温工作能力及高可靠性等优点。产品主要用于新能源汽车电驱系统、车载充电机、光伏逆变器及工业电源等高功率密度、高能效要求场景。
融资次数
4
员工数量
小于50人
专利数量
54
经营范围
一般经营项目是：半导体器件及系统产品、新能源产品、新能源汽车电控产品、测试设备、机电产品和控制软件的技术开发、设计、系统集成、销售和技术服务；国内贸易；经营进出口业务。（法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外，限制的项目须取得许可后方可经营），许可经营项目是：半导体器件及系统产品、新能源产品、新能源汽车电控产品、测试设备、机电产品的生产。
主营业务
软件和信息技术服务
深圳爱仕特科技有限公司
有限责任公司
￥6,220万
2017-12-18
杨良
0755-89300160
zhenke.liao@astsic.com
深圳市坪山区坑梓街道金沙社区荣田路1号海普瑞生物医药生态园厂房3栋101