SiC外延
在碳化硅衬底上生长外延层，用于高温高功率半导体器件。晶睿电子研发的SiC外延技术聚焦掺杂均匀性和低缺陷密度控制，通过改进化学气相沉积工艺实现高晶体质量。创新点包括原位监测生长参数，优化击穿特性。
硅基GaN外延
晶睿电子在硅衬底上进行GaN外延生长，利用硅的成本优势结合GaN材料的高电子迁移率，研发用于高功率和射频应用的异质结构。创新点涉及缓冲层设计缓解热失配问题，以及缺陷控制技术，提升器件性能。
Cool MOS外延
针对Cool MOS功率器件需求设计的外延技术，专注于在硅衬底上生长定制外延层，以优化击穿电压和降低导通电阻。创新点包括使用原位掺杂技术实现高均匀性的漂移层厚度控制，提升功率效率。
埋层外延技术
该技术涉及在器件工艺中形成埋藏导电层或隔离层，以增强器件隔离和性能。晶睿电子通过精确控制外延参数，实现埋层与衬底的高兼容性，减少晶格失配，用于复杂器件结构。创新点体现在低温沉积工艺，降低热预算并提升集成度。
高性能硅外延片制造
晶睿电子在6、8、12英寸硅片上实施外延生长技术，专注于在抛光硅衬底上沉积高纯度硅外延层，以提高材料的电学性能和减少缺陷。创新点包括优化的化学气相沉积（CVD）工艺控制，实现高均匀性外延厚度和精确掺杂浓度，适用于先进半导体器件。
融资次数
5
员工数量
100-499人
专利数量
24
经营范围
一般项目：电子专用材料研发；电子专用材料制造；电子专用材料销售；有色金属合金制造；有色金属合金销售；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广(除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动)。许可项目：技术进出口；货物进出口(依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动，具体经营项目以审批结果为准)。
主营业务
6英寸、8英寸和12英寸高性能硅外延片的研发、制造和销售
浙江晶睿电子科技有限公司
其他有限责任公司
￥4,244万
2020-05-25
张峰
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浙江省丽水市莲都区南明山街道南明路771号