肖特基势垒二极管（SBD）技术
绿能芯创专攻快速恢复硅基肖特基势垒二极管（SBD），通过精确控制金属-半导体接触面形成低正向电压降结构。创新点在于优化结势垒高度降低反向恢复电荷和开关损耗，实现高速开关特性。结合先进的外延层掺杂技术，提升反向击穿电压和高温稳定性，满足高功率应用场景的需求。该技术强调高效能和低噪声表现。
功率MOSFET设计技术
绿能芯创在高性能功率MOSFET领域采用先进的超结结构（Super Junction）设计，通过优化晶圆制造工艺实现低导通电阻（Rdson）和高阻断电压。创新点包括采用深沟槽栅（Deep Trench Gate）技术减少寄生电容，提升开关速度和频率响应，同时集成温度保护特性以增强器件的可靠性和效率。该技术基于硅基半导体材料，强调低功耗和高功率密度设计。
科创行业
融资次数
5
员工数量
-
专利数量
63
经营范围
技术开发、技术咨询、技术转让；销售电子产品、计算机软件及外围设备；货物进出口、技术进出口。（市场主体依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）
主营业务
绿能芯创核心业务为半导体功率器件的设计、制造和销售，专注于分立高功率MOSFET和SBD产品。公司提供从技术开发到应用集成的完整服务链，致力于为工业、新能源和电子设备市场提供高效能功率解决方案。
北京绿能芯创电子科技有限公司
其他有限责任公司
￥7,471万
2017-12-11
陈本昌
15010200958
510129509@qq.com
北京市顺义区中关村科技园区顺义园临空二路1号