SiC on SiC外延片
碳化硅同质外延片，在高纯度SiC衬底上外延生长SiC层，专注于高功率、高温和高压应用。具备低能耗、高击穿电压和优异的散热性能，适用于可再生能源系统（如光伏逆变器）、电动汽车充电桩和工业电源管理器件。支持高温环境（如150℃以上）运行，提升系统可靠性和寿命。
GaN on SiC外延片
碳化硅（SiC）衬底上生长的氮化镓（GaN）外延层，针对射频微波和功率混合应用。具备出色的热导率和高频性能，适用于5G基站放大器、雷达系统和微波通信设备。提供低损耗和高线性度，支持高频操作（如毫米波频段），常见于航空航天和无线基础设施领域。
GaN on Silicon外延片
基于硅衬底生长的氮化镓（GaN）外延层，专为功率电子应用设计。提供高电子迁移率、低导通电阻和优异的开关频率特性，适用于高效率电源管理系统，如USB-C充电器、服务器电源和LED驱动器。支持高功率密度和热稳定性，常用于消费电子和电动汽车充电设备。
科创行业
融资次数
6
员工数量
50-99人
专利数量
34
经营范围
许可项目：检验检测服务（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动，具体经营项目以审批结果为准）一般项目：电子专用材料制造；电子专用材料研发；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广；电子元器件制造；电子元器件批发；电子元器件零售；电力电子元器件制造；电力电子元器件销售；信息技术咨询服务；电子产品销售；信息咨询服务（不含许可类信息咨询服务）；货物进出口；技术进出口；电子专用材料销售（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）
主营业务
专注于第三代宽禁带半导体产业，核心业务为碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）外延片的生产、销售和技术支持，服务于功率电子及射频微波等应用市场。
南京百识电子科技有限公司
有限责任公司（港澳台投资、非独资）
￥647万
2019-08-05
李屏
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南京市浦口区大余所路5号中科创新产业园A11栋