产品&解决方案
提供氮化镓（GaN）外延片生产服务，包含GaN on Silicon和GaN on SiC技术，主要针对射频微波器件（如5G基站）和高效功率转换器（如消费电子和新能源设备），以提升高频和高功率性能。
专注于碳化硅（SiC）外延片的生产，采用SiC on SiC技术，用于高功率半导体器件制造，涉及电动汽车、工业电源等高效率电力电子应用领域。
百识电子提供GaN on Silicon外延片，专为快速充电和高效电源转换设计。该解决方案通过优化外延层结构，实现高开关速度和低导通损耗，支持高效率转换应用。凭借量产经验，百识电子确保外延片在大功率应用中保持稳定性能，适配多样化客户需求。
百识电子提供GaN on Silicon和GaN on SiC外延片，为射频微波应用设计。该解决方案专注于优化高频性能，包括低射频损耗和高增益特性，支持高频宽动态范围的应用。核心团队基于领先供应商经验，可定制满足特定微波器件需求，如5G基站中的功率放大器。
百识电子提供高质量的SiC on SiC外延片，专门针对高功率电子应用。该解决方案利用先进的外延生长技术，生产高均匀性、低缺陷密度的碳化硅外延片，支持高温、高电压环境下的可靠运行，已在电动汽车逆变器和工业电源领域实现大规模应用。
碳化硅同质外延片，在高纯度SiC衬底上外延生长SiC层，专注于高功率、高温和高压应用。具备低能耗、高击穿电压和优异的散热性能，适用于可再生能源系统（如光伏逆变器）、电动汽车充电桩和工业电源管理器件。支持高温环境（如150℃以上）运行，提升系统可靠性和寿命。
碳化硅（SiC）衬底上生长的氮化镓（GaN）外延层，针对射频微波和功率混合应用。具备出色的热导率和高频性能，适用于5G基站放大器、雷达系统和微波通信设备。提供低损耗和高线性度，支持高频操作（如毫米波频段），常见于航空航天和无线基础设施领域。
基于硅衬底生长的氮化镓（GaN）外延层，专为功率电子应用设计。提供高电子迁移率、低导通电阻和优异的开关频率特性，适用于高效率电源管理系统，如USB-C充电器、服务器电源和LED驱动器。支持高功率密度和热稳定性，常用于消费电子和电动汽车充电设备。
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融资次数
6
员工数量
50-99人
专利数量
34
公司简介
南京百识电子科技有限公司专注第三代宽禁带半导体产业。百识电子科技成立于2019年8月，生产碳化硅及氮化镓相关外延片，包含GaN on Silicon、GaN on Sic以及SiC on SiC，涵盖功率以及射频微波等应用。核心团队来自亚洲现有第三代半导体外延片领先的供货商，熟悉市场及客户不同产品需求与痛点，产业上游供应链及下游客户渠道畅通，实际量产经验超过5万片晶圆。
经营范围
许可项目：检验检测服务（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动，具体经营项目以审批结果为准）一般项目：电子专用材料制造；电子专用材料研发；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广；电子元器件制造；电子元器件批发；电子元器件零售；电力电子元器件制造；电力电子元器件销售；信息技术咨询服务；电子产品销售；信息咨询服务（不含许可类信息咨询服务）；货物进出口；技术进出口；电子专用材料销售（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）
主营业务
专注于第三代宽禁带半导体产业，核心业务为碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）外延片的生产、销售和技术支持，服务于功率电子及射频微波等应用市场。
南京百识电子科技有限公司
有限责任公司（港澳台投资、非独资）
￥647万
2019-08-05
李屏
025-58276089
1060275705@qq.com
南京市浦口区大余所路5号中科创新产业园A11栋