高频SiP功率模组技术
通过三维异构集成将MOSFET/IGBT芯片、驱动IC、温度传感器及陶瓷基板一体化封装。采用银烧结贴片（连接层厚度<15μm）和铝带键合替代粗铝线，实现双向散热结构（top/bottom cooling）。
扇出型面板级封装（FO-PLP）
突破传统圆形晶圆限制，在矩形面板（510mm×515mm）上实施高精度光刻与电镀。采用自适应补偿算法解决面板翘曲问题，关键创新在于开发了12μm线宽RDL图形化工艺及嵌入式无源器件集成技术。
晶圆级封装技术（WLCSP/Fan-Out WLP）
基于晶圆重构工艺，在切割前完成器件封装。通过超薄芯片堆叠、超微间距（<25μm）铜凸点互连及再布线层（RDL）技术，实现高I/O密度、薄型化封装。创新点在于多芯片异构集成能力与电磁屏蔽集成技术，显著提升高频特性。
融资次数
8
员工数量
小于50人
专利数量
36
经营范围
一般经营项目是：电子产品、电子元器件、集成电路、功率器件、传感器、电路板的研发、销售；计算机软硬件的技术开发、销售；经济信息咨询；国内贸易；经营进出口业务（以上法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外，限制的项目须取得许可后方可经营）。，许可经营项目是：电子元器件、集成电路、功率器件、传感器的生产
主营业务
专注于先进封装工艺技术开发，以及新型高密度功率器件和模组产品的设计、制造，提供高品质电源管理解决方案服务于多个工业领域。
深圳中科四合科技有限公司
有限责任公司
￥1,005万
2014-10-30
黄冕
13632506962
m.huang@siptory.com
深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号厂房2栋501