IGBT技术
采用绝缘栅双极型晶体管结构，结合MOSFET的低驱动功率和双极型器件的高电流容量，在600V至1700V范围提供软开关特性。创新点包括栅极驱动电路优化和动态箝位设计，有效降低开关损耗和浪涌电压，提升高压大电流应用下的系统效率。
SGT MOSFET技术
基于屏蔽门沟槽设计，在沟槽内集成屏蔽电极，有效抑制栅极振荡和米勒电容，实现更低的栅极电荷（Qg）和更高功率密度。创新点包括优化沟槽深度和几何形状，增强高频下的瞬态响应和EMI性能，适用于高效率开关场景。
超结MOSFET技术
该技术采用深槽工艺和垂直型超结结构，通过P-N柱交替排列，显著提高击穿电压并降低导通电阻（Ron），在高电压应用（如600V至1200V）中实现高效能开关。创新点包括优化电荷平衡设计和新型布局工艺，以减小寄生电容，提升开关频率上限。
细分行业
融资次数
6
专利数量
119
经营范围
一般经营项目是：半导体产品、高科技产品的研发与销售及其相关的技术服务；经营进出口业务；集成电路设计；集成电路制造；集成电路芯片及产品制造；集成电路销售；集成电路芯片及产品销售；电力电子元器件制造；半导体分立器件制造；电子元器件制造。（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动），许可经营项目是：
主营业务
尚阳通的主营业务是设计、开发、制造和销售高性能功率半导体器件，核心产品包括IGBT、超结MOSFET和SGT MOSFET，致力于为电力电子转换系统提供高效、可靠的半导体解决方案，应用于新能源、工业控制和智能电网等高增长市场。
深圳尚阳通科技股份有限公司
股份有限公司（港澳台投资、未上市）
2014-06-17
蒋容
598788783@qq.com
深圳市南山区粤海街道高新区社区高新南一道008号 创维大厦A1206