威兆半导体
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低压功率MOSFET
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产品详情
低压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),针对低电压(如20V至100V)和高电流应用优化,应用于电池管理系统(BMS)、移动设备充电器、笔记本电脑电源适配器、LED照明驱动和便携式电子产品;具备极低的导通电阻(通常在mΩ级别)、高速开关特性、低门电荷(Qg)和优异的温度稳定性,可提供高效率的能量转换和减小系统尺寸。
融资次数
1
员工数量
-
专利数量
117
公司简介
深圳市威兆半导体股份有限公司成立于2012-12-04,注册地址为深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301,法定代表人为李伟聪,经营范围包括一般经营项目是:半导体产品、电子产品的设计、技术开发与销售;国内贸易;经营进出口业务; (以上法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外,限制的项目须取得许可后方可经营);电子元器件的研发、设计、技术转让、技术服务、销售;集成电路、电子产品的研发、设计、技术转让、技术服务、销售;计算机软件的研发、技术转让。,许可经营项目是:电子元器件的制造
经营范围
一般经营项目是:半导体产品、电子产品的设计、技术开发与销售;国内贸易;经营进出口业务; (以上法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外,限制的项目须取得许可后方可经营);电子元器件的研发、设计、技术转让、技术服务、销售;集成电路、电子产品的研发、设计、技术转让、技术服务、销售;计算机软件的研发、技术转让。,许可经营项目是:电子元器件的制造
主营业务
威兆半导体主要从事功率半导体器件的研发、设计、制造和销售,核心产品包括高性能MOSFET器件,广泛应用于电源管理、消费电子和工业控制等领域。
公司全称
深圳市威兆半导体股份有限公司
公司类型
其他股份有限公司(非上市)
注册资本
¥6,188万
成立时间
2012-12-04
法定代表人
李伟聪
电话
18123789405
邮箱
annie.xie@vgsemi.com
地址
深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301