半导体器件设计与开发
利用自产的高质量外延材料，进行半导体器件（尤其是基于III-V族化合物的微波射频和光电器件）的设计与开发。
光电器件用半导体材料
研发适用于高效率光电器件（如激光器、探测器、光伏电池等）的外延材料结构。
微波射频器件用半导体材料
研制用于高频、高性能微波射频器件（如HEMTs、HBTs）的核心外延片材料。
III-V族化合物半导体材料
研发和生产基于MBE技术的III-V族化合物半导体外延片，如砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等及其相关异质结构材料。
分子束外延（MBE）技术研发
专注于开发先进的分子束外延技术，用于制备高性能III-V族化合物半导体外延材料，这是公司核心技术基础。
融资次数
6
员工数量
50-99人
专利数量
55
经营范围
从事光电子器件及其它电子器件和设备的研发、生产和销售；自营和代理各类商品及技术的进出口业务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
主营业务
III-V族化合物半导体外延材料研发、生产及器件开发。
苏州焜原光电有限公司
有限责任公司(自然人投资或控股)
￥6,859万
2017-05-27
陈意桥
0512-63253821
836319436@qq.com
苏州市吴江区黎里镇汾湖大道558号