上海擎茂 - 公司详情 - 核心技术

公司开发的高速FRD（快速恢复二极管）芯片技术，强调优化反向恢复特性，采用先进的p-i-n结构设计减少恢复时间和电荷损失，创新点在于实现软恢复特性以降低电磁干扰，适合高频高压应用。

上海擎茂专注于高性能IGBT（绝缘栅双极晶体管）芯片的研发，采用先进的沟槽栅极结构优化技术，提升功率密度和开关频率，降低导通压降，创新点在于结合高温封装工艺实现长期稳定性和低热阻管理。

科创行业

新能源高效储能及相关技术服务

融资次数

员工数量

小于50人

专利数量

经营范围

从事微电子科技、电子科技领域内的技术开发、技术咨询、技术转让、技术服务，计算机、软件及辅助设备、半导体材料、电子产品的销售，从事货物及技术的进出口业务。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】

主营业务

专注于IGBT和FRD电力电子芯片的研发、封装与应用，产品主要用于工业和汽车领域，支持中国新能源功率器件的研发与产业化。

公司全称

上海擎茂微电子科技有限公司

公司类型

有限责任公司(自然人投资或控股)

注册资本

￥407万

成立时间

2017-10-19

法定代表人

王海军

电话

15221693372

邮箱

frank@shgme.com

网址

地址

中国（上海）自由贸易试验区张衡路200号2幢3层