氮化镓晶圆
中博芯还提供氮化镓(GaN)晶圆产品，包括6英寸及以上尺寸的GaN-on-Si和GaN-on-SiC结构晶圆。产品针对射频和功率电子应用优化，具有高电子迁移率和低热阻，支持高速开关(>100MHz)。用于5G基站、无线充电和消费电子功率转换器，提供衬底表面粗糙度<1nm和缺陷密度控制，兼容MOCVD外延工艺。
功率半导体器件
中博芯基于自研晶圆开发的系列功率半导体器件，包括碳化硅肖特基二极管(SBD)和场效应晶体管(MOSFET)。这些器件具备高效率、高频开关和低导通损耗特点，工作电压覆盖650V至1200V，电流额定值从5A到50A不等。应用于电动汽车充电桩、数据中心电源管理和智能电网系统，通过严格的可靠性测试如HTRB和H3TRB，符合行业标准如JEDEC。
碳化硅衬底晶圆
中博芯的核心产品包括6英寸及以上的碳化硅(SiC)衬底晶圆，这些晶圆采用先进工艺制造，用于功率半导体器件如二极管、MOSFET和IGBT的制造。晶圆具有高晶体质量、低缺陷密度和高热稳定性，支持600V至1700V电压范围，适合新能源车、光伏逆变器和工业电源等高压高温应用。产品通过ISO9001认证，提供4H-SiC晶圆，衬底尺寸常见为6英寸，部分型号可支持更高尺寸定制。
融资次数
2
员工数量
-
专利数量
23
经营范围
技术开发、技术转让、技术咨询、技术检测；制造6英寸及以上化合物半导体集成电路圆片；销售半导体材料、电子器件、电子产品；委托加工；专业设计服务；货物进出口、技术进出口。（市场主体依法自主选择经营项目，开展经营活动；以及依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）
主营业务
制造和销售6英寸及以上化合物半导体集成电路圆片，同时提供相关技术开发和服务支持。
北京中博芯半导体科技有限公司
其他有限责任公司
￥1.309亿
2020-09-01
张立胜
tangj02@kingser.com
北京市顺义区文良街15号院1号楼3层A1区(顺创)