碳化硅（SiC）MOSFET器件
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产品详情
国联万众开发的碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET），支持650V和1200V电压等级，具有低导通电阻（典型值为80mΩ）、高开关频率（可达到MHz级）、耐高温（工作温度最高至175°C）和低损耗特性。产品采用TO-247封装，适用于新能源汽车的车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、光伏逆变器以及工业电机驱动系统，能提升系统效率和功率密度。
融资次数
5
员工数量
-
专利数量
50
公司简介
北京国联万众半导体科技有限公司于2015年03月31日在顺义分局登记成立。法定代表人吴传炎，公司经营范围包括技术检测（不含认证、认可）；技术开发、技术推广等。
经营范围
技术开发、技术推广、技术转让、技术服务、技术检测（不含认证、认可）；产品设计；集成电路、半导体分立器件、光电子器件、通信系统设备、通信终端设备、电力电子元器件制造、销售；计算机系统集成；货物进出口、技术进出口（以上两项不含法律、法规规定需要审批的项目）、代理进出口；企业管理；投资管理、投资咨询；设计、制作、代理、发布广告；企业形象策划；承办展览展示活动。（市场主体依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）
主营业务
半导体技术开发
北京国联万众半导体科技有限公司
有限责任公司(法人独资)
￥1.2979亿
2015-03-31
崔玉兴
010-50933339
hr@asi-base.com
北京市顺义区文良街15号院