TVS二极管和GDT保护技术
该技术结合瞬态电压抑制二极管(TVS)和气体放电管(GDT)的设计，提供多层次浪涌保护。创新点在于采用雪崩击穿和气体电离的混合机制，实现大电流泄放和快速恢复特性，用于高压防护场景。
模拟IC设计技术
该技术聚焦于线性稳压器(LDO)和过压保护(OVP)IC的设计，通过bandgap参考和误差放大器优化实现高精度电压调节。创新点包括集成式保护电路和低噪声设计，提升电源稳定性和抗干扰能力，支持宽输入电压范围。
功率MOSFET制造技术
该技术针对垂直沟道MOSFET的晶圆制造工艺，采用Trench结构和电荷平衡技术优化导通电阻和开关性能。创新点包括使用超结技术和栅极氧化物层优化，提高击穿电压并降低开关损耗，增强功率效率。
ESD保护器件设计技术
该技术专注于静电放电防护半导体器件的芯片设计和制造，通过优化snapback结构和低电容设计实现快速响应和高压击穿。创新点包括采用复合PN结和栅极控制技术，提升ESD保护能力的同时降低寄生效应，适用于高速接口应用。
融资次数
3
员工数量
50-99人
专利数量
27
经营范围
微电子技术领域内的技术服务、技术咨询、技术开发、技术转让；集成电路设计、集成电路芯片制造；半导体分立器件、通讯器材、机电产品设备的研发、制造及加工和销售；自营和代理各类商品和技术的进出口业务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
主营业务
萨瑞微电子采用IDM模式，专注于半导体分立器件的芯片设计、晶圆制造、封装测试与应用服务的整体解决方案，核心产品包括保护器件、二三极管、MOSFET和模拟IC，服务于通讯、安防、消费类电子、汽车电子、工业电子、医疗和仪器仪表等多个领域。
江西萨瑞微电子技术有限公司
其他有限责任公司
2017-04-28
李运鹏
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