碳化硅外延片制造技术
采用高温化学气相沉积（HT-CVD）工艺，在4/6英寸碳化硅衬底上生长高质量外延层。通过精确控制反应室温度场、气体流场及生长压力参数，实现厚度偏差<±2.5%、掺杂浓度偏差<±10%的纳米级外延层控制。创新性开发出缺陷抑制技术，将外延层致命缺陷密度控制在0.5/cm²以下。
融资次数
7
员工数量
500-999人
专利数量
26
经营范围
半导体材料和器材的研发、生产、销售及相关技术咨询与服务；经营各类商品和技术的进出口（不另附进出口商品目录），但国家限定公司经营或禁止进出口的商品及技术除外；其他机械设备及电子产品批发；电气设备批发；贸易代理。（以上商品不涉及国营贸易管理商品，涉及配额、许可证管理商品的，按国家有关规定办理申请）
主营业务
碳化硅外延晶圆的研发、生产与销售业务
瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司
股份有限公司
￥3.8819亿
2011-03-31
赵建辉
laihf@epiworld.com.cn
厦门火炬高新区同翔高新城市头东二路198-1号