碳化硅（SiC）功率模块技术
基于碳化硅材料的功率半导体模块技术，采用自主研发的SiC MOSFET器件，工作频率可达100kHz以上，结合创新型低寄生电感封装设计（如无铜基板封装）。创新点在于双面散热技术和混合键合工艺，实现高热导率和高功率密度，适用于高频高压场景，大幅减少系统尺寸和能量损失。
高压IGBT芯片技术
联研国芯专注于高压绝缘栅双极晶体管（IGBT）芯片的设计与制造，核心技术包括针对1700V及以上电压等级的芯片架构，采用深度注入阱技术和先进的薄片工艺，实现低导通损耗和高开关效率。创新点在于集成多沟槽栅结构，优化电场分布，显著降低开关噪声和热生成，提升器件寿命和系统可靠性。
融资次数
2
员工数量
-
专利数量
21
经营范围
电力电子产品、汽车电子产品、功率半导体产品、集成电路产品及相关测试设备和软件、半导体芯片及器件的技术开发、技术转让、技术咨询、技术服务；维修电子产品；专业承包；销售电子产品、计算机、软件及辅助设备；计算机系统服务；基础软件服务；货物进出口、技术进出口、代理进出口。（市场主体依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）
主营业务
技术开发、转让、咨询和服务，主要包括电力电子产品、汽车电子产品、功率半导体产品、集成电路产品等
北京联研国芯技术有限责任公司
其他有限责任公司
￥2,204万
2020-10-12
邓婷
010-66601771
faye.liu@uniedge.me
北京市昌平区未来科学城滨河大道18号国家电网办公区B组团众创空间b116