MOSFET技术
提供多电压段的功率MOSFET器件，覆盖低压至高压应用。创新点包括应用超级结（Super Junction）技术和优化的沟槽设计，以减小导通电阻（RDS(on)）、提高开关速度并降低栅极电荷，实现高效电源转换。
IGBT技术
开发全电压段绝缘栅双极晶体管，采用先进的晶圆设计和封装工艺。创新点包括优化的沟槽栅结构（Trench-Gate）和改进体二极管特性，以降低开关损耗和热阻，提升可靠性和高温性能，适用于高压高功率场景。
宽禁带功率器件技术
专注于碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率器件的设计和优化。该技术基于宽禁带半导体材料的特性，如高击穿电场强度（SiC）和高电子迁移率（GaN），实现高温稳定性、高频开关操作和低导通损耗，创新点包括优化器件结构和驱动电路以提升效率并减少热损失。
融资次数
5
员工数量
小于50人
专利数量
34
经营范围
电子科技领域内的技术开发、技术咨询、技术转让、技术服务，电子产品的研发、设计、销售，从事货物及技术的进出口业务。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】
主营业务
专注于功率半导体的设计、开发和应用，涵盖MOSFET、IGBT、二极管、功率IC及宽禁带器件，并提供系统化的电源管理解决方案。
上海陆芯电子科技有限公司
有限责任公司(外商投资企业与内资合资)
￥1,599万
2017-05-09
张杰
lux@lu-semi.com
中国（上海）自由贸易试验区蔡伦路1690号2幢409室