产品&解决方案
高密度磁性随机存储器芯片，基于自旋转移转矩技术，提供32兆比特存储容量。特性包括：商业化量产于2022年，高速数据传输（读写速度可达纳秒级）、低功耗运行（支持动态电源管理）、非易失性和高耐久性（耐写入冲击）、适应宽温环境（-40°C至105°C）。专为数据中心、AI边缘计算和存储扩展系统设计，用于替换传统SRAM和DRAM，实现性能优化和成本降低。
大容量磁性随机存储器芯片，基于自旋转移转矩技术，提供4兆比特存储容量。特性包括：高速读写（读写时间优于50纳秒）、非易失性存储、高可靠性（支持无限次写入操作）、低功耗模式（工作电流低于100微安）、适用于恶劣环境（操作温度范围-40°C至125°C）。主要应用于数据缓冲、微控制器存储和工业控制系统，提升系统响应速度和能源效率。
基于自旋转移转矩技术的磁性随机存储器芯片，提供1兆比特存储容量。特性包括：高速读写性能（典型读写时间小于35纳秒）、非易失性数据存储、高耐久性（写入次数超过10^15次）、低功耗设计（待机电流低于1微安）、宽工作温度范围（-40°C至125°C）。适用于工业自动化、汽车电子和嵌入式系统，如传感器网络和控制单元。
融资次数
4
员工数量
100-499人
专利数量
348
公司简介
驰拓科技有限公司是一家以新型高端存储器件及系统的研发、中试与产业化为核心的IDM半导体公司。驰拓科技的产品研发和产业化重点为MRAM（magnetic random access memory）和基于MRAM的应用系统与相关技术及产品开发。
经营范围
一般项目：技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广；计算机软硬件及外围设备制造；计算机软硬件及辅助设备批发；计算机软硬件及辅助设备零售；计算机系统服务；电子元器件制造；集成电路销售；集成电路制造；集成电路芯片及产品销售；集成电路芯片设计及服务；集成电路芯片及产品制造；集成电路设计；货物进出口；技术进出口(除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动)。
主营业务
以新型高端存储器件及系统的研发、中试与产业化为核心，重点围绕MRAM技术开发和应用，提供从设计、制造到商业化的一站式半导体解决方案。
浙江驰拓科技有限公司
其他有限责任公司
￥1.7714亿
2016-01-07
赵建坤
0571-58610199
hr@hikstor.com
浙江省杭州市临安区青山湖街道崇文路1718号