Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体精密后道加工技术
针对磷化铟等脆性化合物半导体材料，开发了从晶锭滚圆、定向、切割（线切割/金刚石内圆切割）到精密研磨、化学机械抛光（CMP）、清洗、检测等全套衬底加工工艺。核心在于解决材料的脆性难题，实现纳米级表面粗糙度、亚微米级厚度均匀性和低损伤衬底制造。
磷化铟（InP）单晶材料制备技术
专注于大尺寸、高品质磷化铟（InP）单晶衬底的生长技术开发与产业化。核心在于掌握高温、高压条件下的晶体生长工艺控制，特别是通过先进的垂直梯度凝固法（Vertical Gradient Freeze, VGF）或蒸气控制直拉法（Vapor Controlled Czochralski, VCZ）技术，实现对单晶锭的位错密度、电学均匀性、表面平整度等关键指标的精控制造。
融资次数
3
员工数量
50-99人
专利数量
60
经营范围
一般项目：半导体分立器件制造；半导体分立器件销售；半导体器件专用设备制造；半导体器件专用设备销售；电子专用材料制造；电子专用材料研发；电子专用材料销售；电子元器件制造；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广；光电子器件制造；光电子器件销售；技术进出口。（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）
主营业务
专注于磷化铟（InP）为主的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶材料的研发、生产与销售，致力于实现国产化替代并成为国际一流的材料供应商，服务多个高科技应用市场。