工艺验证与集成平台技术
该技术提供一个开放式的先进工艺研发平台，结合光刻、刻蚀和薄膜沉积工艺模块，进行多节点工艺验证和良率优化。创新点包括基于原位监控和虚拟制造技术实现实时缺陷检测和快速迭代，支持从28纳米向更先进节点（如14纳米FinFET）迁移的稳健流程开发。
先进射频（RF）集成电路技术
该技术专注于高频集成电路开发，集成毫米波设计和片上系统解决方案，采用低噪声放大器和高效率功放优化结构。创新点包括采用硅基异质集成方法（如SiGe HBT工艺），结合电磁模拟和屏蔽技术，减少信号损耗，实现高线性度设计，适用于5G通信和无线传输应用。
28纳米高k金属栅（HKMG）工艺技术
该技术基于先进CMOS工艺，采用高介电常数（high-k）材料和金属栅结构来取代传统二氧化硅栅介质，显著减少漏电流并提升晶体管性能。创新点包括本地化材料优化设计（例如使用铪基氧化物高k材料），结合双应力应变工程实现低热预算集成，支持28纳米节点的高效制造过程，适用于低功耗和高性能集成电路生产。
融资次数
4
员工数量
100-499人
专利数量
2007
经营范围
芯片的制造、销售，集成电路设计及销售，相关领域内的技术开发、技术咨询、技术服务、技术转让，投资，国内贸易（除专项审批），从事货物与技术的进出口业务。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】
主营业务
上海集成电路研发中心的主营业务是为中国集成电路产业提供开放、非盈利性的公共研发服务，重点包括先进工艺研发与验证、技术来源支持及人才培养，以推动产业技术创新和发展。
上海集成电路研发中心有限公司
有限责任公司(国有控股)
￥3.006亿
2002-12-16
方琳
icrd@icrd.com.cn
中国（上海）自由贸易试验区高斯路395、497号