紫外LED透明导电膜技术
专为深紫外波段（UVC）开发的纳米复合透明导电电极，采用氧化铟锡（ITO）与氧化锌（ZnO）的超晶格叠层结构。创新引入氮化铝缓冲层解决晶格失配问题，实现280nm波段85%以上透光率。
高功率半导体激光器芯片技术
基于非对称波导结构的激光芯片设计，采用腔面钝化和非吸收窗口技术解决高功率下的灾变性光学损伤问题。创新应用分布式反馈（DFB）结构实现单模输出，工作波长覆盖808nm至1550nm波段。
氮化镓基Micro-LED外延技术
基于氮化镓（GaN）材料的微缩化LED外延片制备技术，通过优化量子阱结构和应力调控实现高均匀性外延生长。创新点包括多层复合缓冲层设计和原位掺杂控制技术，显著降低晶体缺陷密度。