SONOS NOR Flash
采用硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅（Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon）电荷俘获型存储结构，利用氮化硅层实现电荷存储。通过原子层沉积（ALD）技术精确控制介质层厚度，实现电荷局域化存储，降低单元间干扰。
ETOX NOR Flash
基于浮栅晶体管结构的NOR Flash存储技术，采用电子隧穿氧化层（Electron Tunneling Oxide）实现电荷注入与擦除。通过优化电荷俘获层材料与栅极堆叠结构，实现高可靠性数据存储。支持字节级随机访问，具备XIP（就地执行）能力。
融资次数
4
员工数量
50-99人
专利数量
83
经营范围
从事半导体芯片、集成电路芯片、智能卡设计、研发、半导体材料、多媒体软件、光电产品的批发（以上不涉及外商投资准入特别管理措施内容，依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）(依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动)〓
主营业务
存储器芯片设计，特别是Flash存储器芯片的研发、设计和销售
珠海博雅科技股份有限公司
股份有限公司（外商投资、未上市）
￥5,000万
2014-12-02
赵锐
xlwang@boyamicro.com
珠海市软件园路1号会展中心1#十三层2单元、十五层