GaNFast氮化镓功率芯片
该技术基于单片集成氮化镓（GaN）功率器件与驱动、控制和保护功能于单一芯片的创新设计，采用先进的电路设计和制造工艺，有效减少寄生参数并实现高速开关性能。创新点在于消除了传统硅基系统所需的分立元件，显著提升功率密度和效率，同时通过内置保护机制确保可靠性。
融资次数
1
员工数量
小于50人
专利数量
1
经营范围
一般项目：集成电路产品、电子专用材料的设计、研发；半导体、电子科技领域内的技术开发、技术转让、技术咨询、技术服务；集成电路产品、电子专用材料、电子元器件的批发、进出口、佣金代理（拍卖除外），并提供相关的配套服务（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）。
主营业务
设计、开发和销售基于氮化镓（GaN）的高效功率半导体芯片，核心产品包括GaNFast™系列，用于提升移动、消费、企业、电动车和新能源领域的充电速度、功率密度和节能效果。
纳微达斯半导体（上海）有限公司
有限责任公司(港澳台法人独资)
$240万
2020-06-19
Eugene Anthony Sheridan III
0757-86316988
chenyiqin@rtfcpa.com
中国（上海）自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼