IGBT功率模块
亦芯微电子研发的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）功率模块，面向工业级高压应用。产品集成驱动和保护功能，适用于电机控制、变频器和电力转换系统。特点包括高电流容量、抗短路能力和优化的热管理设计，可提升能源利用率和系统寿命。
1200V SiC SBD芯片
1200V碳化硅肖特基势垒二极管（SBD）芯片，基于SiC材料设计，提供低正向压降和高反向阻断能力。适用于高频开关电源和功率因数校正电路，在光伏系统、不间断电源（UPS）和服务器电源中广泛应用。具备优异的温度稳定性和开关特性，能减少系统体积和能耗。
650V SiC MOSFET功率模块
亦芯微电子开发的碳化硅（SiC）功率半导体模块，采用先进的宽禁带半导体技术，适用于650V高压应用。产品具有高效率、高开关频率和低损耗特性，主要应用于电动汽车充电桩、工业变频器、太阳能逆变器等领域。可优化能量转换效率，支持高温工作环境，提升系统可靠性。