富能半导体 - 公司详情 - 核心技术

富能半导体专注于碳化硅MOSFET和二极管研发，通过创新的晶格生长技术和欧姆接触优化，降低导通电阻和反向恢复损耗，支持高频（MHz级）高温操作。创新点包括基于SiC材料的JFET集成结构，提升器件的稳定性和抗辐射能力，适用于高效能源应用。

富能半导体研发的绝缘栅双极晶体管技术，采用先进的沟槽栅结构和场中止层设计，实现高压阻断能力（如6500V等级），优化开关速度和热管理，提升能源转换效率。创新点包括针对高功率密度应用的寄生电容控制和动态特性提升，降低开关损耗和传导损耗。

新材料高性能复合材料

融资次数

员工数量

小于50人

经营范围

电子元器件、集成电路、电路模板、半导体分立器件、功率半导体器件及模组的研发、设计、生产、测试、封装、销售及相关技术服务；研究、设计、生产、加工半导体元器件专用材料、电子专用设备、测试仪器；货物及技术进出口。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）

主营业务

半导体能源器件、芯片及模组产品的开发、生产和销售

公司全称

济南富能半导体有限公司

公司类型

有限责任公司（非自然人投资或控股的法人独资）

注册资本

￥10万

成立时间

2018-11-08

法定代表人

陈昱升

电话

18653199592

邮箱

lix@energensemi.com

网址

地址

山东省济南市高新区舜华路1号齐鲁软件园1号楼（创业广场C座）地下一层6-132室