40nm/28nm CIS特种工艺制程技术
德淮晶圆厂规划及投入研发的核心是针对图像传感器优化的40nm及28nm工艺平台。区别于标准逻辑制程，此平台集成了多项CIS专用的工艺模块（Module），包括：高性能感光二极管（Photodiode）制造技术；深沟槽隔离（Deep Trench Isolation - DTI）以降低像素串扰；特定结构的晶体管（如埋藏式光电二极管传输门）优化电荷转移效率；低反射率、高透光率的彩色滤光片（CF）和微透镜（ML）集成技术；支持高动态范围（HDR）的特定晶体管选项（如双转换增益DCG）。平台设计目标是平衡像素性能与芯片逻辑电路的集成度、功耗和良率。
堆叠式CMOS图像传感器设计技术
德淮半导体在其高阶CIS产品中采用了堆叠式（Stacked）设计结构。该技术将感光像素层（Pixel Layer）与逻辑处理电路层（Logic Circuit Layer）分别制作在独立的硅晶圆上，再通过先进的硅通孔（TSV）或混合键合（Hybrid Bonding）工艺进行精密堆叠与互联。这种分离设计突破了传统前照式（FSI）和单片背照式（BSI）CIS的物理限制，实现了像素区域的最大化利用，优化了信号传输路径和噪声控制。
融资次数
2
员工数量
100-499人
专利数量
1114
经营范围
高科技半导体芯片的研发、设计、测试、生产、销售，半导体元器件的研发、设计、测试、生产、销售，技术管理咨询和技术咨询服务；自营和代理各类商品及技术的进出口业务（国家限定企业经营或禁止进出口的商品和技术除外）。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
主营业务
高阶CMOS图像传感器（CIS）芯片的研发设计与晶圆级制造，并提供定制化影像解决方案
德淮半导体有限公司
有限责任公司(台港澳与境内合资)
￥60.4333亿
2016-01-19
夏绍曾
0517-89908500
kevin.chen2@hidmgroup.com
淮安市淮阴区长江东路599号