产品&解决方案
提供Standalone Memory产品线，包括基于新型存储技术的独立存储器芯片，适用于严苛环境下的数据存储需求。产品支持宽温度范围工作，具备错误校正功能，满足工业级和车规级标准，确保数据在极端条件下的完整性和长期稳定性。
基于阻变存储器（ReRAM）技术的高性能非易失性嵌入式存储IP，提供核心存储器单元、控制电路和接口设计，支持SoC厂商直接集成到芯片中，实现快速读写和超低功耗操作。该方案采用新型材料技术，可在标准CMOS工艺节点上实现高密度存储。
集成MRAM存储器的系统级芯片解决方案，专注于新型存储器周边产品。该产品线包括定制化SOC芯片，结合处理器核（如ARM Cortex-M系列）和嵌入式MRAM，针对边缘计算、智能卡和医疗设备应用优化。典型特性包括支持实时操作系统、低功耗设计（动态功耗低于10mW/MHz），并提供安全机制（如加密引擎和物理防篡改）。容量选项从512Kb到8Mb，接口支持多种协议（如PCIe和USB）。优势是提高系统性能和安全性，通过单芯片集成减少外设组件，降低成本，并适应高温和震动环境，满足工业级标准。
嵌入式磁随机存取存储器知识产权核，专为ASIC和SOC设计提供。该IP支持多种工艺节点（如28nm和22nm），提供高密度非易失性存储方案。功能包括快速存取时间（小于10ns）、低漏电流（纳安级别），并支持片上错误校正（ECC）。应用场景涵盖物联网设备、微控制器（MCU）和嵌入式系统，确保数据在断电后完整保留。优势在于高集成度、小面积占用（比Flash存储器节省30%以上面积），并降低系统总功耗，帮助客户缩短产品开发周期。
高性能磁随机存取存储器独立芯片，基于STT-MRAM（自旋转移矩磁随机存取存储器）技术，具有非易失性存储特性。产品提供高速读写能力（典型读写时间小于35ns），支持100万次写入耐久性，工作电压范围在1.8V至3.3V，适用于工业自动化、数据中心、汽车电子等领域。该产品提供多种容量选项（如256Kb至16Mb），并与标准串行接口（如SPI和I2C）兼容，以简化系统集成。优势包括低功耗（静态电流低于1μA）、高可靠性和抗辐射能力，适用于恶劣环境。
融资次数
2
员工数量
小于50人
专利数量
27
公司简介
北京新忆科技有限公司是一家存储器产销商，公司主营业务为新型存储器及其周边产品，包括StandaloneMemory、EmbeddedMemory和周边的SOC产品。 新忆科技作为集成电路领域的初创公司，致力于成为国内新型存储器领域的领导者。
经营范围
技术开发、技术推广、技术服务、技术转让、技术咨询；工程和技术研究与试验发展；产品设计；软件开发；基础软件服务；应用软件服务；市场调查；计算机系统服务；会议服务；设计、制作、代理、发布广告；承办展览展示活动；委托加工电子产品；销售自行开发的产品；技术检测；货物进出口；技术进出口；代理进出口。（该企业2021年8月13日前为内资企业，2021年8月13日起变更为外商投资企业。市场主体依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）
主营业务
新型存储器及其周边产品，包括独立存储器、嵌入式存储器和系统单芯片周边产品的设计、生产和销售。
北京新忆科技有限公司
有限责任公司（港澳台投资、非独资）
￥2,878万
2018-06-20
王坤
010-53602192
info@innomemtech.com
北京市海淀区中关村东路1号院1号楼A座十三层A1301室