高带宽非易失性存储器
基于电荷俘获层技术（Charge Trap Flash）的NOR Flash架构优化，采用多平面并行存取机制与异步多bank控制策略。实现单芯片20ns级随机读取延时，支持XIP（Execute-In-Place）技术，通过3D堆叠工艺集成多个存储层，提升存储密度同时维持高速访问特性。
存算融合边缘AI芯片
基于存算一体架构的认知存储芯片，将AI计算单元与存储器深度融合，直接在存储单元内进行矩阵乘加等神经网络运算。通过消除传统冯·诺依曼架构的数据搬运瓶颈，采用非易失性存储器（如RRAM/MRAM）实现原位计算，支持低精度定点运算以适配边缘端推理任务。
融资次数
1
员工数量
小于50人
专利数量
11
经营范围
一般项目：集成电路芯片设计及服务；集成电路芯片及产品制造；集成电路芯片及产品销售；计算机软硬件及外围设备制造；信息系统集成服务；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广；技术进出口；货物进出口（除许可业务外，可自主依法经营法律法规非禁止或限制的项目）
主营业务
高性能存储芯片与AI融合芯片的研发与多领域应用解决方案提供
合肥中科智存科技有限公司
其他有限责任公司
2020-07-01
张君宇
jyang@neumem.com
中国（安徽）自由贸易试验区合肥市高新区望江西路900号中安创谷科技园A3A4栋7楼756-3室