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TaC涂层沉积技术
TaC涂层沉积技术利用CVD方法在石墨托盘上形成碳化钽层,关键创新点为微结构优化沉积工艺,提升涂层的机械强度和抗等离子体侵蚀能力。该技术通过精确控制沉积参数,确保高硬度、优异的热稳定性,适用于极端半导体制造环境。
SiC涂层沉积技术
SiC涂层沉积技术是通过化学气相沉积(CVD)在石墨基材表面形成均匀的碳化硅层。该技术优化了涂层厚度、纯度和均匀性,创新点包括专有的表面预处理和低温沉积工艺,以提升涂层附着力、抗热震性能及高温稳定性,确保在高纯环境下避免污染芯片外延过程。
融资次数
5
员工数量
小于50人
专利数量
30
经营范围
一般项目:新材料技术研发;半导体器件专用设备制造;工程和技术研究和试验发展;电子专用材料研发;电子专用材料制造;电子专用材料销售;石墨及碳素制品制造;石墨及碳素制品销售;新材料技术推广服务;技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广;技术进出口;进出口代理;货物进出口(除依法须经批准的项目外,凭营业执照依法自主开展经营活动)。
主营业务
六方科技专注于芯片外延托盘产品的研发、制造与销售,核心产品涵盖SiC涂层石墨托盘和TaC涂层石墨托盘,广泛服务于LED、SiC、GaN和单晶硅等半导体芯片外延领域,以提升外延过程的效率和可靠性。
公司全称
浙江六方半导体科技有限公司
公司类型
其他有限责任公司
注册资本
¥1,492万
成立时间
2018-01-25
法定代表人
何少龙
电话
0575-87779912
邮箱
sales@hexcarbon.cn
地址
浙江省诸暨市陶朱街道大侣西路36号中节能环保产业园6号楼3楼