产品&解决方案
基于晶讯聚震独有的SMART FBAR技术，采用高单晶压电材料和晶圆级封装结构，提供高频、高性能的射频滤波器芯片，专为满足5G通信、信号基站和物联网设备的射频前端需求而设计。
专为5G sub-6GHz频段（如3.3-4.2GHz的n77频段和3.3-3.8GHz的n78频段）优化的FBAR滤波器，提供高性能信号过滤功能。具有极低带内插入损耗（低于1.5dB）、高带外抑制（优于40dB）和优异功率处理能力，适用于5G智能手机和基站设备，以应对高速数据传输和多频段干扰挑战。通过晶讯聚震的自有FAB厂工艺生产，确保批量稳定性和可靠性。
基于薄膜体声波谐振器（FBAR）技术的高性能射频滤波器，采用晶讯聚震专有的SMART FBAR技术，生产高单晶压电材料并通过特有晶圆级封装结构实现高频、高性能特性。产品主要针对5G移动终端（如n77/n78/n79频段）、信号基站和物联网设备设计，提供低插入损耗、高选择性、宽带宽和优异热稳定性，满足5G通信对信号过滤的严格要求。可支持频率范围从2GHz到6GHz以上，适用于智能手机、路由器、基站模块及物联网传感器等场景。
融资次数
4
员工数量
小于50人
专利数量
17
公司简介
珠海晶讯聚震科技有限公司(CRT)是一家由行业领军人才和技术专家领导的国际化企业，成立于2017年7月27日，由 Dror先生在珠海成立，公司核心技术团队均来自来半导体相关行业知名公司，拥有丰富的半导体实战经验，其中核心技术团队掌握有多项专利技术，及产品的工艺 Know-How，拥有核心设计团队，工艺开发和设备团队，及市场销售和管理团队。公司于2019年成立天津FAB厂，自有设计、先进制程和测试中心。厂区占地面积1600平方米，拥有400㎡的百级净化间及研发和生产设备，满载产能可达每月1500片六寸晶圆。公司旨在成为全球高端滤波器芯片供应商，基于下一代薄膜体声波谐振器（FBAR），运用本公司独特的SMART FBAR 技术所产出的高单晶压电材料及特有的晶圆级封装的结构，提供高频、高性能的射频滤波器，以满足未来 5G 终端设备、 信号基站和物联网制造商的性能要求。
经营范围
章程记载的经营范围：射频滤波器和感应器芯片的研发、制造、销售、进出口业务及技术咨询服务（以上涉及行业许可管理的按国家有关规定办理申请）。(依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动)〓
主营业务
高频高性能射频滤波器芯片的设计、制造与全球供应
珠海晶讯聚震科技有限公司
有限责任公司（港澳台投资、非独资）
￥1,903万
2017-07-27
HURVITS DROR
022-59901058
acc01.finance@crystalresonancetech.com
珠海市横琴新区汇通三路108号30楼C区3005-17