氧化镓单晶生长技术
富加镓业专注于采用导模法（Edge-defined Film-fed Growth, EFG）技术生长β相氧化镓（β-Ga₂O₃）单晶，这是一种超宽禁带半导体材料（禁带宽度约4.8 eV）。该技术结合多气氛退火工艺，在生长过程中通过精密控制温度梯度、坩埚模具设计和气体环境（如氧气或氮气氛围），减少晶格缺陷（如位错密度），提升晶体尺寸（可达6英寸级别）和电学性能。创新点包括开发高效率生长工艺，实现低应力和高均匀性晶圆，优化了氧化镓的晶体结构和电子迁移率，以支持高性能器件制造。
融资次数
5
专利数量
77
经营范围
一般项目：技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广；光电子器件制造；光电子器件销售；集成电路设计；集成电路销售；集成电路制造；电子专用材料研发；电子专用材料制造；电子专用材料销售；电子元器件批发；电子元器件制造；电力电子元器件销售；稀土功能材料销售；功能玻璃和新型光学材料销售；软件开发；工程和技术研究和试验发展；工业设计服务；电子产品销售；半导体分立器件制造；半导体分立器件销售；半导体器件专用设备制造；半导体器件专用设备销售；货物进出口(除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动)。
主营业务
宽禁带半导体材料（尤其是氧化镓等）的研发、制备与生产
杭州富加镓业科技有限公司
有限责任公司(自然人投资或控股)
￥948万
2019-12-31
齐红基
0571-56900217
1528701592@qq.com
浙江省杭州市富阳区春江街道江南路68号第23幢301室