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招投标 (8)
序号
发布日期
标题
信息类型
中标金额
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专利列表 (78)
序号
申请日期
专利名称
1
2023-11-22
JFET区源极接触的抑制电压过冲的六边埋沟井槽屏蔽SiCVDMOSFET
2
2023-11-22
JFET区源极接触的抑制电压过冲的六边埋沟井槽屏蔽SiCVDMOSFET
3
2023-11-22
一种高容错率抑制电压过冲的六边埋沟井槽SiCVDMOSFET结构
4
2023-11-21
一种高容错率抑制漏源电压过冲的六边埋沟井槽SiCVDMOSFET结构
5
2023-11-21
一种高容错率抑制电压过冲的六边井槽屏蔽型SiCVDMOSFET结构
6
2023-11-21
一种抑制电压过冲的六边埋沟井槽SiCVDMOSFET结构
7
2023-11-21
一种高容错率抑制电压过冲的六边屏蔽型SiCVDMOSFET结构
8
2023-11-21
一种高容错率抑制漏源电压过冲的六边形元胞SiCVDMOSFET结构
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资质列表 (3)
序号
发证日期
证书类型
截止日期
1
2024-04-27
环境管理体系认证
2027-04-26
2
2024-04-27
中国职业健康安全管理体系认证
2027-04-26
3
2022-07-25
质量管理体系认证（ISO9001）
2025-07-24
融资次数
6
员工数量
小于50人
专利数量
78
经营范围
一般项目：集成电路设计；集成电路芯片设计及服务；集成电路制造；半导体分立器件制造；集成电路芯片及产品制造；光电子器件制造；电子元器件制造；电力电子元器件制造；集成电路销售；电力电子元器件销售；集成电路芯片及产品销售；半导体分立器件销售；光伏设备及元器件销售；电子产品销售；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广(除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动)。
主营业务
高性能光电子器件的研发、生产和销售
杭州谱析光晶半导体科技有限公司
有限责任公司(自然人投资或控股)
￥734万
2020-03-27
许一力
0571-83525950
057183525950@qq.com
浙江省杭州市萧山区瓜沥镇航钱路168号3幢4层405（自主分割）