产品&解决方案
通过化学气相沉积（CVD）在硅衬底上生长高质量单晶硅薄膜（如p型或n型外延层），厚度精确控制（从微米到纳米级）。核心创新包括多层生长工艺（如选择外延或同质外延）以调控厚度均一性（偏差<3%），并通过掺杂梯度设计提升载流子迁移率（如用于高频器件），缺陷密度低（<100 defects/cm²），满足高性能器件的需求。
该技术结合化学腐蚀和机械研磨，通过纳米级抛光浆料和专用抛光垫实现硅片表面平坦化（粗糙度<0.1 nm RMS）。创新点包括两步法工艺（粗抛后精抛）以消除划痕和亚表面损伤，同时表面金属污染控制（金属杂质<10^10 atoms/cm²）保证器件隔离性，适用于高精度4-12英寸硅片的生产。
基于高纯多晶硅在石英坩埚中熔融后，通过籽晶旋转拉晶形成单晶硅棒。关键技术优势在于大直径生长控制（如12英寸晶圆），并通过热场优化（如磁场辅助提拉）实现轴向和径向均匀性提升（掺杂均匀性偏差<5%），同时采用低氧化工艺减少碳污染（碳含量<1×10^16 atoms/cm³）。创新点包括尺寸扩展能力结合缺陷抑制技术，满足大尺寸集成电路的良率需求。
该技术利用高纯硅棒在无坩埚环境下，通过局部熔融和精准温度控制形成熔区，并结合籽晶拉晶工艺生长单晶硅棒。核心创新点包括熔区稳定控制以降低氧含量（<10^15 atoms/cm³）、杂质过滤机制提升晶体纯度（电阻率可达>1000 Ω·cm），以及缺陷抑制能力减少位错密度（<10^4 cm⁻²），从而实现超高纯度硅片的量产。
提供半导体硅片产品的市场推广和销售服务，通过完善的供应链支持全球及国内半导体产业链客户需求。
专注于半导体硅片的规模化生产，产品涵盖4-12英寸规格的化腐片（应为“化学腐蚀片”的缩写，指基础硅片）、抛光片和外延片等，覆盖多尺寸和类型，利用先进工艺实现高质量制造，是我国大陆地区规模最大、技术最先进的企业之一。
致力于半导体硅片材料和工艺的研发，包括 FZ（悬浮区熔法）和 CZ（切克劳斯基法）晶体工艺的创新开发，是我国大陆地区唯一同时掌握全系列 FZ 和 CZ 工艺的企业，推动技术前沿和产品升级。
在抛光衬底上外延生长单晶硅层的特种硅片。提供4英寸至12英寸全尺寸产品，包含N型/P型外延片。具有精确的电阻率控制和低缺陷密度，专用于MOSFET、IGBT等高端功率器件和模拟集成电路制造。
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融资次数
4
员工数量
1000-4999人
专利数量
964
公司简介
中环领先半导体材料有限公司是由天津中环半导体股份有限公司、无锡产业发展集团有限公司及浙江晶盛机电股份有限公司共同投资建立的合资公司，主要从事半导体硅片的技术研发、制造和销售。公司产品涵盖4-12英寸化腐片、抛光片、外延片等，是我国大陆地区规模最大、技术最先进的半导体硅片企业之一，也是我国大陆地区唯一同时掌握全系列 FZ 和 CZ 晶体工艺的半导体材料企业。
经营范围
半导体材料、电子专用材料、半导体器件、半导体器件专用设备的技术研发、制造和销售；新材料、电子与信息、机电一体化领域内的技术开发、技术转让；自营和代理各类商品及技术的进出口业务（国家限定企业经营或禁止进出口的商品和技术除外）；利用自有资金对外投资；半导体生产及检测设备租赁。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
主营业务
半导体硅片的技术研发、制造和销售，专注于4-12英寸规格的半导体硅片产品。
中环领先半导体材料有限公司
股份有限公司（港澳台投资、未上市）
￥50亿
2017-12-14
沈浩平
0510-81776118
zhlx@zhlxsemicon.com
宜兴经济技术开发区东氿大道