凌锐1200V SiC MOSFET芯片
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产品详情
凌锐半导体的核心产品之一，是一款基于第三代半导体碳化硅（SiC）技术的功率MOSFET器件，设计电压等级为1200V。该芯片专为汽车电子应用开发，符合车规级认证标准AEC-Q101。其关键技术特性包括低导通电阻（典型值低于80mΩ）、高开关频率（支持kHz级操作）、出色的高温稳定性（工作温度范围-40°C至175°C），以及优化的栅极驱动结构，能显著提升功率转换效率。主要应用于电动汽车的主驱动逆变器、车载充电器（OBC）、DC-DC转换器等系统，目标是提高能源效率、降低系统体积和热管理成本。
融资次数
2
员工数量
小于50人
专利数量
2
公司简介
凌锐半导体是一家专注于第三代半导体碳化硅（SiC）车规级芯片研发与销售的的高科技公司。公司总部位于上海，设有中国与欧洲两个研发中心，核心团队由来自于原英飞凌（Infineon），科锐（CREE Wolfspeed）， UnitedSiC Rogters实验室，意法（ST），安森美（Onsemi）的核心功率器件团队的海归专家与外国专家组成。
经营范围
一般项目：集成电路设计；集成电路销售；集成电路芯片及产品销售；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广；半导体分立器件销售；技术进出口；货物进出口；专业设计服务。（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）
主营业务
碳化硅（SiC）车规级功率芯片的研发与销售
凌锐半导体（上海）有限公司
有限责任公司(外商投资、非独资)
￥734万
2022-08-02
刘桂新
中国（上海）自由贸易试验区临港新片区海洋一路333号1号楼、2号楼