硅基外延片
硅基外延片是在单晶硅片上通过化学气相沉积（CVD）外延生长的硅薄膜层。产品层厚度精确控制（纳米级），电阻率范围在0.001-100Ω·cm之间，可实现低缺陷密度（<10缺陷/cm²）和高载流子迁移率。主要用于功率半导体器件和光电器件等高端芯片的制造。
石墨电极
石墨电极是用于半导体设备的高温处理炉和热处理设备中，作为导电和加热元件。产品采用高纯度石墨（碳含量>99.95%），具有优异的耐高温性能（可达3000°C）、低热膨胀系数和良好的导电性。尺寸可定制，表面经过特殊涂层处理以减少灰尘污染，广泛应用于晶圆生长和退火过程。
单晶硅片
单晶硅片是通过切克劳斯基法（Czochralski method）生长的单晶硅锭切割而成，直径包括200mm和300mm等规格。产品厚度均匀（通常为0.725mm），表面粗糙度小于0.5nm，具有极高的结晶完整性。应用于制造微处理器、存储芯片等集成电路的核心基板，能满足5nm以下先进制程的精度要求。
半导体级多晶硅
半导体级多晶硅是高纯度硅材料，主要用于半导体晶圆制造的原料。产品纯度为99.999999%（9N级），具有低杂质含量（如金属杂质低于0.1ppb）和均匀的晶格结构。适用于集成电路芯片的生产过程中，作为单晶硅锭的生长材料。