硅锗（SiGe）射频集成电路（RFIC）设计
利用SiGe BiCMOS工艺实现的RFIC技术，强调低成本高集成度方案，创新点在于集成数字控制单元和模拟射频前端，支持动态频率调谐和低功耗运作，适用于sub-6 GHz频段的高性能收发器设计。
砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC）设计
基于GaAs半导体工艺的MMIC技术，覆盖微波到毫米波频段（如Ku波段和Ka波段），创新点包括高Q值无源元件集成、低噪声放大器（LNA）和功率放大器（PA）的协同设计，以及温度稳定优化，实现芯片级高性能射频功能模块。
融资次数
8
员工数量
50-99人
专利数量
76
经营范围
半导体集成电路系统研发、销售；半导体集成电路器件研究、开发、加工、销售、技术咨询及技术服务；通信设备、射频组件及系统研发、加工及销售技术研发；电子元器件及系统技术服务、设计；声光一体化系统研发、销售及技术咨询；安防设备、电子产品、监控设备、通讯设备、无人机设备研发、生产、销售及技术咨询；自营和代理各类商品和技术的进出口业务（国家限定公司经营或禁止进出口的商品和技术除外）。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
主营业务
射频/微波集成电路芯片的设计、开发和供应商，专注于为通信和仪表领域提供高频、高性能、高集成度的芯片和模块产品。
南京米乐为微电子科技有限公司
股份有限公司(非上市)
2012-05-14
姜鑫
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南京市江宁经济技术开发区秣周东路9号