先进功率半导体器件工艺
茂睿芯虽然以芯片设计为主（Fabless），但其核心技术架构高度依赖于与晶圆代工厂深度合作开发的定制功率工艺平台（如BCD工艺的变种）。其技术核心在于对特定高压（如900V）器件结构、隔离技术以及低Rds(on)功率器件（如超级结MOSFET）的模型掌握与设计实现能力。这使其能设计出高效整合了高压功率器件与精细低压控制逻辑的单片IC，满足在高开关频率、高温下工作的苛刻要求。
氮化镓驱动与集成技术
茂睿芯积极应用第三代半导体技术，其核心技术之一是针对氮化镓(GaN)功率器件优化的驱动与控制方案。这包括专门设计的高侧GaN FET驱动能力（针对cascode或增强型结构），精确的栅极驱动电压控制（如负压关断或阈值优化），以及集成了高压启动、智能保护逻辑的GaN驱动器或集成功率级与控制的单芯片方案。其技术专注于解决GaN应用中的关键挑战，如驱动回路寄生电感最小化、可靠的栅极电压钳位保护和快速短路保护响应。
高集成DC-DC电源转换芯片
茂睿芯提供多类型DC-DC解决方案，包含集成高端和低端功率MOSFET的降压控制器和转换器。核心技术在于其先进的电流模式控制架构，具备高开关频率支持能力（可达MHz级别）以及优异的瞬态响应性能。其电压前馈、精准的电流采样（低侧/高侧）、环路补偿优化等技术确保了在高开关频率下的稳定性和效率。部分产品还集成了高精度电压基准、低电压锁定保护等特性。创新点包括用于宽电压输入的“低寄生电容结构设计”。
高性能同步整流控制器
茂睿芯在同步整流(SR)领域拥有核心技术，其SR控制器系列专为优化反激、正激等拓扑在CCM/DCM/QR模式下的效率而设计。关键创新在于其超高速栅极驱动技术和智能开通/关断判定逻辑（如采用自适应栅极关断时序控制或专利的振铃抑制算法），能精准地在寄生二极管导通前驱动MOSFET开通，并在电流倒灌前快速关断，最大化利用同步整流带来的效率收益。其检测精度和响应速度在行业内领先，有效降低了对MOSFET寄生参数变化的敏感度。
高性能AC-DC电源管理芯片
茂睿芯的核心技术之一是高效率、高可靠性AC-DC电源控制芯片设计，特别是在中高功率应用领域。这包括先进的PWM控制器架构，整合了如准谐振(QR)、有源钳位反激(ACF)等高效能工作模式控制，以及高精度恒压/恒流控制环路。其技术突破点在于通过独创的混合信号控制算法实现全负载范围下的高效率转换，尤其在轻载时能显著降低功耗。部分器件还集成了高压启动电路及智能X电容放电管理等功能。
融资次数
6
员工数量
-
专利数量
54
经营范围
一般经营项目是：从事半导体芯片、计算机、电子科技领域内的技术开发、 技术转让、技术咨询及相关技术服务；半导体芯片、电子产品、计算机硬软件及辅助设备销售；企业管理咨询；经营进出口业务。，许可经营项目是：
主营业务
高性能功率半导体芯片及电源管理芯片的设计、研发、销售与相关技术服务，专注于为工业控制、消费电子、通信设备、汽车电子及机器人等领域提供核心电力电子元器件与解决方案。
茂睿芯（深圳）科技有限公司
有限责任公司（外商投资、非独资）
￥1,800万
2017-04-20
易俊
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