氮化镓晶体管
派恩杰的氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）技术采用GaN-on-Si平台，创新点在于集成驱动电路和优化的铝镓氮势垒层，显著降低栅极驱动损耗（开关速度达100V/ns）和提升功率密度（功率密度比硅基器件高5倍以上），适用于高频高效应用。
碳化硅二极管
派恩杰的碳化硅肖特基二极管技术基于创新金属-半导体接触工艺，实现了零反向恢复电荷特性，大幅减少功率损耗（反向恢复时间 <15 ns）。创新点包括优化的JBS（结势垒肖特基）结构设计，降低正向压降（低至1.5V）和提升高压阻断能力（可达1700V）。
碳化硅 MOSFET
派恩杰的碳化硅 MOSFET 技术采用先进的沟槽栅结构，创新点在于优化的栅氧化物工艺和双沟槽设计，大幅降低导通电阻（典型值 <30 mΩ·cm²）和开关损耗（比硅基器件低50%以上），支持高开关频率（可达100kHz）和高温工作（达175°C），提升系统效率和可靠性。
融资次数
8
专利数量
80
经营范围
许可项目：检验检测服务(依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动，具体经营项目以审批结果为准)。一般项目：集成电路设计；集成电路芯片设计及服务；电力电子元器件制造；集成电路芯片及产品制造；半导体分立器件制造；半导体器件专用设备制造；电力电子元器件销售；半导体器件专用设备销售；电子元器件制造；集成电路芯片及产品销售；电子产品销售；计算机软硬件及辅助设备零售；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广；企业管理咨询；信息咨询服务（不含许可类信息咨询服务）；社会经济咨询服务；货物进出口；技术进出口(除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动)。
主营业务
派恩杰主营业务是设计、研发并推动第三代半导体功率器件（如碳化硅MOSFET、二极管和氮化镓晶体管）的量产和技术升级，服务于新能源、智能电网、物联网和电力电子等领域。
派恩杰半导体（浙江）有限公司
有限责任公司(自然人投资或控股)
￥1,000万
2018-09-03
黄兴
0571-88263297
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