SSD固态硬盘开发技术
该公司在SSD领域采用先进NAND Flash管理技术，包括固件算法优化（如损耗均衡、垃圾回收和TRIM指令支持）。创新点包括3D NAND堆叠集成、NVMe接口优化设计，提升读写速度和数据安全机制。
DRAM内存模组优化设计技术
铨兴科技研发高性能DRAM模组，基于DDR4/DDR5标准优化PCB布局和信号完整性控制。创新点包括多通道时序同步技术、低功耗设计以及自动化SMT（Surface Mount Technology）组装流程，确保模组高速响应和高兼容性。
芯片自动化测试技术
该公司开发了基于ATE（Automated Test Equipment）的内嵌测试系统，针对DRAM和NAND Flash芯片进行高速信号完整性和可靠性验证。创新点包括内嵌ECC（Error Correcting Code）算法和时序校准技术，确保出厂芯片稳定性和低缺陷率。
存储芯片先进封装技术
铨兴科技在DRAM和NAND Flash芯片封装中采用高精度封装方法，如FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）和3D堆叠封装技术，实现薄片多芯片集成。创新点包括集成热管理设计、低功耗优化和定制化封装流程，提升芯片密度和可靠性，支持高速数据传输需求。
融资次数
1
员工数量
小于50人
专利数量
66
经营范围
一般经营项目是：半导体集成电路及电子产品的研发设计、技术服务；半导体集成电路的销售；5G通讯、数码产品整体方案的研发设计；家用电器、安防器材、机电产品、五金配件及LED 产品的销售；货物及技术进出口业务；国内贸易。（法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外，限制的项目须取得许可后方可经营）；非居住房地产租赁。（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动），许可经营项目是：半导体集成电路封装测试制造。
主营业务
半导体存储产品的研发、生产与销售，专注于DRAM和NAND Flash两大领域的一站式解决方案。
深圳市铨兴科技有限公司
有限责任公司
￥1.0246亿
2016-08-11
黄少娃
15012559666
huangshaowa@qxkj112.wecom.work
深圳市福田区沙头街道天安社区滨河大道与泰然九路交汇东北角处万科滨海置地大厦八层整层