MRAM测试芯片
致真存储用于技术验证和工艺开发的测试芯片系列，包括基于自旋转移矩（STT）和自旋转矩（SOT）等技术的原型设计。这些芯片主要用于评估材料性能、界面效应和制造工艺优化，不具备商业化销售，但服务于研发团队的底层机理研究和制造流程验证。
28nm STT-MRAM嵌入式芯片
致真存储研发的自旋转移矩磁随机存储器芯片，采用28纳米制程工艺。该芯片具备非易失性存储特性（断电后数据不丢失），支持高速读写操作（工作频率可达100MHz），存储密度为128Mb，功耗低于传统DRAM，适用于嵌入式应用场景如微控制器、物联网设备和边缘计算节点。产品支持SPI接口，提供了高可靠性和长寿命（大于10万次擦写循环）。
融资次数
3
员工数量
小于50人
专利数量
46
经营范围
技术服务、技术开发、技术咨询、技术转让、技术推广；集成电路设计；软件开发；人工智能应用软件开发；专业设计服务；销售电子产品；电力电子元器件制造；企业管理；企业管理咨询；货物进出口、技术进出口。（市场主体依法自主选择经营项目，开展经营活动；以及依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）
主营业务
自旋存储芯片的研发、设计、制造及相关应用技术的探索
致真存储（北京）科技有限公司
其他有限责任公司
￥551万
2019-07-10
曹凯华
010-82061614
truthmemory@tmc-bj.cn
北京市海淀区知春路6号(锦秋国际大厦)10层A03