功率模块与驱动集成
芯塔电子提供的功率模块整体解决方案技术，将SiC或GaN器件与优化的驱动电路集成在同一模块中，通过创新封装技术如双面散热结构和直接敷铜（DBC）基板，改善热管理并提高系统可靠性。其创新点在于模块级可靠性测试方法和低寄生参数设计，实现高功率密度和高开关频率下的稳定运行。
GaN HEMT (氮化镓高电子迁移率晶体管)
芯塔电子开发的GaN HEMT技术，采用独特的缓冲层结构和栅极驱动集成设计，实现高频（MHz级）操作和低功耗性能。其创新点在于通过优化AlGaN/GaN异质结生长工艺，增强二维电子气迁移率，提高器件击穿电压和转换效率，同时减小器件尺寸。
SiC MOSFET (碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管)
芯塔电子研发的SiC MOSFET技术，通过创新的沟槽栅结构设计和栅氧化层钝化工艺，降低导通电阻（Ron）和开关损耗，提高器件可靠性。其创新点在于优化了SiC衬底处理与外延层接口，减少界面态密度，从而提升高温下的器件寿命和稳定性，支持650V至1700V工作电压范围。
SiC SBD (碳化硅肖特基势垒二极管)
芯塔电子基于碳化硅（SiC）材料开发的肖特基势垒二极管技术，通过优化肖特基结的金属选择和表面处理工艺，实现高反向阻断电压（如1200V级别）和低正向导通压降。其创新点在于采用高均匀性外延层生长技术，减少漏电流和开关损耗，适用于高频开关应用。
融资次数
2
员工数量
小于50人
专利数量
26
经营范围
一般项目：半导体分立器件制造；半导体分立器件销售；集成电路设计；集成电路制造；集成电路销售；集成电路芯片设计及服务；集成电路芯片及产品制造；集成电路芯片及产品销售；电力电子元器件制造；其他电子器件制造；电力电子元器件销售；电子产品销售；电子专用材料研发；电子专用材料制造；电子专用材料销售；半导体器件专用设备制造；半导体器件专用设备销售；电子专用设备制造；电子专用设备销售；先进电力电子装置销售；销售代理；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广；货物进出口；技术进出口（除许可业务外，可自主依法经营法律法规非禁止或限制的项目）
主营业务
提供第三代半导体功率器件和模块的整体解决方案，涵盖研发、生产及产业化服务，应用于高功率电子应用场景。
安徽芯塔电子科技有限公司
其他有限责任公司
￥927万
2020-10-10
倪炜江
0553-2112600
niwj@topelectronics.cn
安徽省芜湖市弋江区芜湖高新技术产业开发区芜湖科技产业园B3栋