车规级碳化硅功率模块集成技术
上海瀚薪科技的功率模块采用创新的封装方法，如直接键合铜（DBC）基板和热管理优化设计，实现了低寄生电感和高散热性能，创新点包括多芯片并联技术和智能驱动电路集成，确保模块在高功率密度下稳定运行，满足AEC-Q101等车规标准。
碳化硅肖特基二极管技术
公司开发的碳化硅肖特基势垒二极管（SiC SBD）结合了专利的结终端保护设计和先进外延层技术，实现零反向恢复电流和低正向压降，创新点包括优化的能带结构以实现高效电荷管理，增强了在高压、高频应用中的性能和抗浪涌能力。
碳化硅MOSFET设计技术
上海瀚薪科技基于自主知识产权开发了高性能碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET），创新点包括优化的栅极结构设计和专有的高温栅极氧化工艺，实现了低导通电阻（Rds(on)）和高击穿电压（典型值650V至1700V），显著提升了器件的开关速度和长期可靠性，适用于高温、高功率环境。
融资次数
3
员工数量
小于50人
专利数量
14
经营范围
计算机软硬件科技领域内的技术开发、技术咨询、技术服务，技术转让，集成电路芯片设计，半导体、智能车载产品科技领域内的技术开发、技术咨询、技术服务、技术转让，货物或技术进出口（国家禁止或涉及行政审批的货物和技术进出口除外），销售电子产品。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】
主营业务
研发与生产第三代宽禁带半导体碳化硅功率器件（包括MOS管、二极管）及功率模块，专注于车规级标准的大规模量产，服务于新能源汽车、光伏、工业电源等高增长行业客户。
上海瀚薪科技有限公司
有限责任公司(自然人投资或控股)
￥1.9481亿
2019-10-12
徐菲
021-69793076
hanxin@hestiapower.cn
上海市青浦区沪青平公路2855弄1-72号B座12层B区1225室