分布式反馈激光器芯片设计与制造技术
在激光器波导层上集成周期性光栅结构以实现波长选择及单模输出的边发射激光器芯片制造技术。核心在于高精度光栅刻蚀工艺、低损耗波导设计、波长稳定性和温度特性控制、以及与调制器单片集成能力（如在EML芯片中）。
垂直腔面发射激光器芯片设计与制造技术
设计并制造在GaAs等材料上实现电流和光垂直腔面传输的激光器芯片。核心技术涵盖：布拉格反射镜多层堆栈结构精确外延生长、微型谐振腔设计、电流限制孔径结构优化、低阈值电流设计、高温工作稳定性提升及高良率芯片后工艺（如减薄、刻蚀、金属化）。
化合物半导体外延片生长技术（基于MOCVD）
利用国际先进的金属有机物化学气相沉积设备，在蓝宝石、硅或碳化硅等衬底上高质量生长III-V族化合物半导体材料（如GaN、GaAs等）。关键技术点包括材料组分与掺杂精确控制、多层复杂结构外延生长、低位错密度生长工艺及大规模生产的均匀性控制。
融资次数
3
员工数量
-
专利数量
-1
经营范围
一般项目：集成电路制造；集成电路销售；集成电路芯片及产品制造；电子元器件制造；集成电路芯片及产品销售；集成电路设计；贸易经纪；货物进出口；技术进出口；进出口代理；国内贸易代理；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广。（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）
主营业务
化合物半导体光电子芯片及其应用产品的研发、生产与销售
华芯（珠海）半导体有限公司
其他有限责任公司
￥8,244万
2022-11-08
彭灵勇
danna.wu@sinosemic.com
珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层499室（集中办公区）