氧化镓单晶衬底
进化半导体专注于研发和生产氧化镓单晶衬底片，材料基于β-Ga2O3晶体结构，尺寸包括2英寸和4英寸，厚度范围在200微米至500微米之间。产品采用边缘限定薄膜馈送生长（EFG）或提拉法（CZ）工艺制备，提供N型掺Sn或未掺杂版本。主要应用于制造功率半导体器件（如肖特基二极管、场效应晶体管）、紫外探测器和射频器件，具有高击穿电压（可达8MV/cm）、低导通损耗和优良的热稳定性，满足汽车电子、工业电源和5G通信领域的高性能需求。技术参数包括表面粗糙度Ra≤0.5nm、晶体缺陷密度低于10^5/cm²，确保器件制造的良率和可靠性。
融资次数
3
员工数量
-
专利数量
1
经营范围
一般经营项目是：半导体器件专用设备销售；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广。半导体分立器件制造；半导体分立器件销售；半导体器件专用设备制造；光电子器件制造；电力电子元器件制造；电子专用材料销售；电子专用材料制造；电子专用材料研发；电子元器件制造；光电子器件销售。（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动），许可经营项目是：
主营业务
专注于以氧化镓为代表的第四代半导体材料的衬底研发和制造，提供高性能衬底产品以满足电力电子、射频器件等应用领域的市场需求。
进化半导体（深圳）有限公司
有限责任公司
￥159万
2021-05-25
许照原
深圳市福田区福田街道福安社区金田路3037号金中环国际商务大厦2111B10