产品&解决方案
纳设智能的碳纳米管合成设备专为单壁或多壁碳纳米管(CNTs)的气相合成而开发。该系统基于化学气相沉积原理,操作温度范围为600°C至1000°C,采用浮游催化剂法和多区反应腔设计,确保管径一致性(±0.5 nm)和高长径比(>1000)。设备集成气体流量调控(如乙烯、氢气)和快速收集装置,产量可达克级/小时,纯度超过90%。适用于纳米复合材料、场发射器件等应用,提供原位拉曼光谱监测和自动清洁循环,减少交叉污染。
纳设智能的二维材料CVD沉积系统针对二硫化钼(MoS2)、二硒化钨(WSe2)等TMDs材料设计。设备采用低温沉积技术(200°C至800°C),结合基板预处理和原子层精密控制模块,支持硅片、石英或柔性基板上的均匀成膜。系统配备双气路供应(如硫化物前驱体和金属源),沉积厚度可控在单层(约0.7 nm)至多层(10 nm),表面粗糙度小于1 nm。适用于光电子学、纳米电子学研究,提供实时光学监测和真空锁紧机构,确保高重复性和低杂质水平(金属污染<1 ppm)。
纳设智能的石墨烯CVD生长设备专为高质量石墨烯薄膜的连续生产设计。系统配备多温区管式炉反应腔,操作温度可达1100°C,支持铜箔、镍基板等多种催化剂基板。通过精确的压力控制(10^-4 Pa至大气压)和气体混合模块(如甲烷、氢气),实现大面积(可达300 mm x 300 mm)均匀生长,单层石墨烯覆盖率超过95%,载流子迁移率大于4000 cm^2/V·s。设备集成快速冷却系统和自动传输机构,适用于科研实验室和工业级制造场景,如透明电极和传感器开发。
纳设智能的碳化硅CVD外延设备专门用于第三代半导体材料SiC的外延生长。该系统采用高温反应腔设计,支持温度控制范围为500°C至1600°C,配备多区域精确加热和气体流量控制系统,确保高纯度单晶薄膜生长。设备适用于6英寸至8英寸晶圆加工,具备原位监测技术以实现厚度均匀性(标准偏差小于3%)和缺陷密度控制(低于10^5 cm^-2),主要应用于电动汽车、光伏逆变器等功率器件的批量生产。结合先进的安全联锁机制和模块化结构,便于维护和升级。
融资次数
4
员工数量
小于50人
专利数量
57
公司简介
深圳市纳设智能装备有限公司致力于第三代半导体、新型二维材料(TMDs)、石墨烯、碳纳米管等先进材料制造装备(CVD、MOCVD等)的研发、生产、销售和应用推广。
经营范围
一般经营项目是:电子设备的技术服务、技术转让、技术咨询;电子机械设备的销售;计算机和控制系统的软硬件开发和销售;货物及技术进出口。,许可经营项目是:半导体产品、电子仪器、电子设备的研发、生产及销售。
主营业务
研发、生产和销售用于第三代半导体、二维材料(TMDs)、石墨烯及碳纳米管等先进材料制造的化学气相沉积(CVD)和金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备
深圳市纳设智能装备有限公司
股份有限公司(非上市、自然人投资或控股)
¥1.218亿
2018-10-29
陈炳安
0755-23243345
contact@naso-tech.com
深圳市光明区凤凰街道凤凰社区观光路招商局光明科技园A6栋1B