非导模法氧化镓单晶生长技术
该技术是基于浙江大学硅材料国家重点实验室研发的创新方法，采用非导模法（区别于传统的导模法如Edge-Defined Film-Fed Growth）生长氧化镓单晶衬底。核心创新点包括：通过优化热场控制和晶体生长动力学，实现β相氧化镓单晶的高质量制备，解决了传统导模法易引入缺陷和尺寸受限的问题；自主开发的长晶工艺参数可确保大尺寸（如英寸级）衬底的高结晶度和低缺陷密度，支撑材料性能稳定。技术体现了国产突破，拥有完全自主知识产权。
融资次数
2
员工数量
小于50人
专利数量
17
经营范围
一般项目：半导体照明器件销售；半导体器件专用设备销售；半导体分立器件销售；电子元器件零售；光电子器件销售；电子专用设备销售；电子专用材料销售；电力电子元器件销售；电子测量仪器销售；集成电路芯片及产品销售；技术玻璃制品销售；实验分析仪器销售；工程和技术研究和试验发展；标准化服务；电子专用材料研发；信息技术咨询服务；货物进出口(除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动)。
主营业务
研发、生产和销售氧化镓等超宽禁带半导体单晶衬底及外延材料，以自主创新技术为核心，突破国际市场垄断，为电力电子等产业提供材料保障。
杭州镓仁半导体有限公司
有限责任公司(自然人投资或控股)
￥131万
2022-09-08
张辉
19011278905
garen_semi@163.com
浙江省杭州市萧山区宁围街道建设三路733号信息港五期一号楼205-62