Mini/Micro LED显示芯片技术
超小型化LED芯片阵列技术，通过微纳米级加工工艺（如光刻和蚀刻）实现高密度集成。创新点在于键合转移技术和像素级驱动优化，支持高分辨率、自发光显示，减少光衰并提升显示对比度。
化合物半导体射频器件技术
基于砷化镓（GaAs）和氮化镓（GaN）材料的射频器件开发，包括高电子迁移率晶体管（HEMT）器件结构。创新点在于采用多层外延生长技术（MBE或MOCVD）实现高频、高功率特性，重点优化界面控制和掺杂精度以提升器件稳定性和线性度。
GaN基LED外延与芯片制造技术
使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术在蓝宝石衬底上生长氮化镓（GaN）基外延层，包括InGaN/AlGaN多量子阱结构，以实现高亮度、高可靠性LED芯片。创新点在于优化外延层均匀性和缺陷密度控制（如采用缓冲层技术和应力管理），提高光电转换效率和发光均匀性。
细分行业
员工数量
100-499人
经营范围
电子工业技术研究、咨询服务；电子产品生产、销售；超高亮度发光二极管(LED)应用产品系统工程的安装、调试、维修；经营本企业自产产品及技术的出口业务；经营本企业生产所需的原辅材料、仪器仪表、机械设备、零配件及技术的进口业务（国家限定公司经营和国家禁止进出口的商品及技术除外）；经营进料加工和“三来一补”业务。（法律法规规定必须办理审批许可才能从事的经营项目，必须在取得审批许可证明后方能营业）。
主营业务
以高亮度LED外延片和芯片的研发、生产与销售为核心，形成从材料、芯片到器件的垂直整合产业链。
三安光电股份有限公司
其他股份有限公司(上市)
￥49.8902亿
1993-03-27
林志强
0592-5937117
600703@sanan-e.com
湖北省荆州市荆州开发区东方大道131号