碳化硅（SiC）模块技术
斯达半导体在SiC功率模块领域发展迅速，基于SiC MOSFET芯片设计，利用碳化硅材料的高击穿场强特性，实现了高频高速开关性能。创新点包括低电感封装技术和优化散热结构，减少了开关损耗，提升系统效率30%以上；模块支持高温高压应用（电压最高达3300V，电流达数百安培），适用于高频场景。
IGBT模块技术
斯达半导体的核心技术集中在自主研发的IGBT芯片和模块设计上，采用先进的沟槽栅结构和薄晶圆工艺，显著降低导通损耗和开关损耗。创新点包括高精度激光退火技术优化芯片沟槽深度，提升电流密度至最高3600A；结合高可靠性压接封装工艺，减少了寄生电感和热阻，实现了高功率密度和优异的热管理能力，电压范围覆盖100V至3300V。
细分行业
员工数量
500-999人
专利数量
223
经营范围
一般项目：半导体分立器件制造；半导体分立器件销售；集成电路芯片设计及服务；集成电路芯片及产品制造；集成电路芯片及产品销售；机械零件、零部件加工；机械零件、零部件销售；机械设备租赁；货物进出口；技术进出口(除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动)。
主营业务
功率半导体元器件（包括IGBT、MOSFET、SiC）的研发、生产和销售，专注于IGBT模块领域
斯达半导体股份有限公司
股份有限公司（港澳台投资、上市）
￥1.7096亿
2005-04-27
沈华
0573-82586699
investor-relation@powersemi.com
浙江省嘉兴市南湖区科兴路988号