IGBT模块
集成功率模块产品，包含多芯片并联封装结构。设计用于高功率密度应用场景，包括工业变频驱动、新能源汽车电机控制器、光伏发电系统及不间断电源（UPS）。
IGBT（绝缘栅双极晶体管）
提供Trench-FS（沟槽场截止型）IGBT产品系列，覆盖600V-1350V电压范围。具备低饱和压降和高开关频率特性，适用于工业变频器、电磁炉、电焊机、光伏逆变器和新能源汽车电控系统。
屏蔽栅功率MOSFET
采用屏蔽栅（Shielded Gate）技术的中低压MOSFET，工作电压在20V-200V区间。通过优化栅极结构实现极低导通电阻，主要应用于同步整流、DC-DC转换器和电机控制系统。
超结功率MOSFET
基于超级结（Super Junction）结构的高压MOSFET器件，涵盖600V-800V电压范围。具有低栅极电荷和低导通损耗特性，专为开关电源、服务器电源和工业电源系统设计。
沟槽型功率MOSFET
采用沟槽工艺技术制造的中低压MOSFET器件，具有低导通电阻和高开关速度特性。适用于30V-150V电压范围，主要用于电源管理、电池保护、电机驱动和消费电子领域。
A股代码
605111.SH
员工数量
100-499人
专利数量
270
经营范围
电力电子元器件的制造、研发、设计、技术转让、技术服务、销售；集成电路、电子产品的研发、设计、技术转让、技术服务、销售；计算机软件的研发、技术转让；利用自有资产对外投资；环境保护专用设备的制造、销售；自营和代理各类商品及技术的进出口业务（国家限定企业经营或禁止进出口的商品和技术除外。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
主营业务
半导体功率器件的研发、设计及销售
无锡新洁能股份有限公司
股份有限公司(上市、自然人投资或控股)
￥2.9819亿
2013-01-05
朱袁正
0510-85618058
luh@ncepower.com
无锡市新吴区电腾路6号