晶圆级封装技术（WLCSP）
在晶圆制造阶段直接完成焊球植球与钝化层开孔，创新应用铜柱凸点（Copper Pillar）和重布线层（RDL）技术消除传统引线键合产生的寄生电感。关键工艺包含光敏介电材料图形化和微凸点电镀。
场截止型IGBT技术
基于薄晶圆减薄工艺（<100μm）结合质子注入场截止层，在N基区与集电极间形成高浓度缓冲层。创新点在于通过载流子寿命精确控制实现导通压降（Vce_sat）与关断损耗（Eoff）的折衷优化。
屏蔽栅沟槽型MOSFET（SGT）
在沟槽栅底部嵌入多晶硅屏蔽层，创新性地实现电场分布重构。关键技术涵盖精确的介质层沉积工艺和纳米级沟槽形貌控制，有效抑制米勒电容效应，显著降低栅漏电容（Crss）。
超结MOSFET技术
采用电荷平衡原理在硅基材料上构建三维垂直导电结构，通过交替排列的P/N柱实现耐压层优化。核心技术包含深槽刻蚀与多级外延工艺，突破传统平面MOSFET的硅极限限制，大幅提升单位面积导通能力。
A股代码
605111.SH
员工数量
100-499人
专利数量
270
经营范围
电力电子元器件的制造、研发、设计、技术转让、技术服务、销售；集成电路、电子产品的研发、设计、技术转让、技术服务、销售；计算机软件的研发、技术转让；利用自有资产对外投资；环境保护专用设备的制造、销售；自营和代理各类商品及技术的进出口业务（国家限定企业经营或禁止进出口的商品和技术除外。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
主营业务
半导体功率器件的研发、设计及销售
无锡新洁能股份有限公司
股份有限公司(上市、自然人投资或控股)
￥2.9819亿
2013-01-05
朱袁正
0510-85618058
luh@ncepower.com
无锡市新吴区电腾路6号